[发明专利]非挥发性存储器结构和阵列

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器结构和阵列，所述非挥发性存储器结构包括在基板中的第一有源区上的第一PMOS晶体管和第一浮置栅晶体管、在基板中的第二有源区上的第二PMOS晶体管和第二浮置栅晶体管、以及在基板中的n型抹除区。源极线连接第一和第二PMOS晶体管的源极。位线连接第一和第二浮置栅晶体管的漏极。字线分别连接位于第一和第二PMOS晶体管中的第一和第二选择栅极。抹除线连接n型抹除区。第一浮置栅晶体管包括具有在n型抹除区的第一部分上延伸的延伸部的第一浮置栅极。第二浮置栅晶体管包括具有在n型抹除区的第二部分上延伸的延伸部的第二浮置栅极。

主权项

一种非挥发性存储器结构，其特征在于，包括:基板，包括第一有源区、第二有源区以及n型抹除区，其中所述n型抹除区与所述第一有源区和所述第二有源区隔离；第一PMOS晶体管和第一浮置栅晶体管，分别位于所述第一有源区上，其中所述第一PMOS晶体管包括第一选择栅极，所述第一浮置栅晶体管包括位于所述第一选择栅极和所述n型抹除区之间的第一浮置栅极，且所述第一浮置栅极包括在所述n型抹除区的第一部分上延伸的延伸部；第二PMOS晶体管和第二浮置栅晶体管，分别位于所述第二有源区上，其中所述第二PMOS晶体管包括第二选择栅极，所述第二浮置栅晶体管包括位于所述第二选择栅极和所述n型抹除区之间的第二浮置栅极，且所述第二浮置栅极包括在所述n型抹除区的第二部分上延伸的延伸部；源极线，连接所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的多个源极；位线，连接所述第一浮置栅晶体管和所述第二浮置栅晶体管的多个漏极；字线，连接所述第一选择栅极和所述第二选择栅极；以及抹除线，连接所述n型抹除区。