[发明专利]太赫兹调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610975096.2 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108061981A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 秦华;黄永丹;余耀;李欣幸;张志鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;H01L29/778;H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种太赫兹调制器及其制备方法。太赫兹调制器包括衬底、缓冲层、异质结外延层。异质结外延层上形成有多列高电子迁移率晶体管，每列的高电子迁移率晶体管之间相互串联，所有列的高电子迁移率晶体管的欧姆电极连接有第一引线电极，每相邻两列的高电子迁移率晶体管的栅极相互连接。本发明通过栅极调控每列相邻两个欧姆电极之间的沟道电导来实现复合超颖表面结构在共振超颖表面与线栅之间的转换。对于偏振方向平行于线栅栅条的太赫兹波，共振超颖表面在低于电偶极共振频率范围内具有高透射率，而具有高电导率的线栅却禁止具有该偏振的太赫兹波透过，由于线栅本身所具有的宽带特性，该器件能实现宽带且高效的太赫兹调制。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹调制器，包括依次设置的衬底、缓冲层、异质结外延层；其特征在于，所述异质结外延层上形成有多列高电子迁移率晶体管，每列的高电子迁移率晶体管之间相互串联，所有列的高电子迁移率晶体管的欧姆电极连接有第一引线电极，每相邻两列的高电子迁移率晶体管的栅极相互连接，且所述栅极还连接有第二引线电极；其中，所述欧姆电极、栅极、第一引线电极和第二引线电极形成复合超颖表面结构，所述栅极用于调控每列相邻两个欧姆电极之间的沟道电导，使得所述复合超颖表面结构在共振超颖表面与线栅之间转换。
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