[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，多量子阱层包括若干子层，子层包括量子阱层和层叠在量子阱层上的量子垒层，量子阱层为InGaN层，量子垒层为Al_xIn_yGaN层，0bGaN，0＜b＜0.2且b＜x。本发明通过采用AlInGaN层作为量子垒层，量子垒层中的InGaN可以与InGaN量子阱层很好的晶格匹配，量子垒层中的Al可以对电子形成连续阻挡和缓冲的作用，减少电子溢流出量子阱层。

主权项

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，所述多量子阱层包括若干子层，所述子层包括量子阱层和层叠在所述量子阱层上的量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，其特征在于，所述量子垒层为Al_xIn_yGaN层，0<x<0.5，0<y<0.5，所述P型电子阻挡层为Al_bGaN，0＜b＜0.2且b＜x；所述量子垒层为单层Al_xIn_yGaN层，沿所述发光二极管外延片的层叠方向，各层所述单层Al_xIn_yGaN层中Al组分的平均含量依次为0.35、0.3、0.25、0.2、0.15、0.1、0.05；所有所述单层Al_xIn_yGaN层中，最靠近所述P型电子阻挡层的若干所述单层Al_xIn_yGaN层的厚度的最大值，小于最靠近所述N型GaN层的若干所述单层Al_xIn_yGaN层的厚度的最小值；所述单层Al_xIn_yGaN层的厚度为5～25nm，最靠近所述P型电子阻挡层的至少三层所述单层Al_xIn_yGaN层的厚度为5～15nm；或者，所述量子垒层包括依次层叠的第一Al_xIn_yGaN层、第二Al_xIn_yGaN层、第三Al_xIn_yGaN层，所述第一Al_xIn_yGaN层中Al组分的含量为0.1，所述第二Al_xIn_yGaN层中Al组分的含量为0.05，所述第三Al_xIn_yGaN层中Al组分的含量为0.15。