[发明专利]一种空气隙结构的制造方法有效
| 申请号： | 201610969488.8 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106548977B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王伟军;林宏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种空气隙结构的制造方法，包括在衬底上形成常规的金属互连层次，对沟槽结构进行反刻蚀，去除沟槽之间的第一介质层材料，采用湿法清洗工艺去除沟槽表面的聚合物，采用物理轰击或选择性化学方式去除沟槽侧壁处产生的阻挡层材料凸出物，沉积第二介质层材料，形成空气隙结构；可防止引起第二介质层薄膜的断裂、塌陷等问题，增强空气隙的物理强度，从而可获得理想的空气隙结构形貌，并可实现工艺的稳定可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种空气隙结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S010：提供一衬底，在所述衬底上形成常规的金属互连层次；步骤S020：对金属互连层次的沟槽结构进行反刻蚀，去除沟槽之间的第一介质层材料；步骤S030：采用湿法清洗工艺去除沟槽表面的聚合物；步骤S040：采用刻蚀工艺去除沟槽侧壁处产生的阻挡层材料凸出物；步骤S050：沉积第二介质层材料，形成空气隙结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
