[发明专利]一种热处理装置的快速风冷结构在审
申请号: | 201610968368.6 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN106384722A | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 康飞;赵燕平;刘红丽;邱江红 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 陶金龙,张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种热处理装置的快速风冷结构,快速风冷结构嵌设于保温层中,包括环状侧部保温块,设于保温层侧壁处,其圆周设有上下贯通的纵向风道,沿纵向风道侧壁设有连通炉膛的多数个径向风道;环状顶部进风保温块,设于保温层顶部处,并与环状侧部保温块上端对应接合,其沿圆周下端设有进风环槽,进风环槽设有连通保温层外部的进风口,进风环槽连通纵向风道;顶部排热保温块,设于保温层顶部处,并与环状顶部进风保温块上端对应接合,其设有连通炉膛及保温层外部的排风口;通过进风口导入冷却气流,依次经进风环槽、纵向风道、径向风道进入炉膛,经换热后由排风口排出,可以对炉膛进行快速降温的强制冷却。 | ||
搜索关键词: | 一种 热处理 装置 快速 风冷 结构 | ||
【主权项】:
一种热处理装置的快速风冷结构,所述热处理装置自内而外设有处理容器、加热器,加热器设有包围处理容器的保温层及敷设于保温层内壁处的加热丝,保温层与处理容器之间的空间构成炉膛,其特征在于,所述快速风冷结构嵌设于保温层中,包括:环状侧部保温块,设于保温层侧壁处,其圆周设有上下贯通的纵向风道,沿所述纵向风道侧壁设有连通炉膛的多数个径向风道;环状顶部进风保温块,设于保温层顶部处,并与环状侧部保温块上端对应接合,其沿圆周下端设有进风环槽,所述进风环槽设有连通保温层外部的进风口,所述进风环槽连通纵向风道;顶部排热保温块,设于保温层顶部处,并与环状顶部进风保温块上端对应接合,其设有连通炉膛及保温层外部的排风口;其中,通过进风口导入冷却气流,依次经进风环槽、纵向风道、径向风道进入炉膛,经换热后由排风口排出,以对炉膛进行快速降温的强制冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造