[发明专利]一种GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610967370.1 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106449775A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;郑亮;戴亚伟;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体为GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法。本发明的GaN基混合PIN肖特基二极管包括：n型GaN衬底；n型GaN漂移层，位于所述GaN衬底上，其具有多层结构并且自下而上各层掺杂浓度依次递减；多个p型GaN结构层，其以一定间隔分布于所述多层结构n型GaN漂移层的顶层中；以及主结电极，形成于所述多个p型GaN结构层以及各p型GaN结构层之间的所述n型GaN漂移层上，与所述n型GaN漂移层之间形成肖特基接触。本发明引入多层漂移区技术，可以有效降低pn结界面附件的峰值电场强度，从而能够在获得合理的正向电流的同时提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 混合 pin 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基混合PIN肖特基二极管，其特征在于，包括：n型GaN衬底；n型GaN漂移层，位于所述GaN衬底上，其具有多层结构并且自下而上各层掺杂浓度依次递减；多个p型GaN结构层，其以一定间隔分布于所述多层结构n型GaN漂移层的顶层中；以及,主结电极，形成于所述多个p型GaN结构层以及各p型GaN结构层之间的所述n型GaN漂移层上，与所述n型GaN漂移层之间形成肖特基接触。
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