[发明专利]一种具有高发光效率的LED外延片有效
| 申请号： | 201610963217.1 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106384766B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 重庆聚光光伏发电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人： | 张大保 |
| 地址： | 402660 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高发光效率的LED外延片，沿外延层生长方向从下到上依次包括：衬底，缓冲层，u型GaN层，n型GaN层，量子阱层，p型GaN层，量子阱层内势阱不变，势垒高度沿外延层生长方向从下到上逐渐降低。本发明提高了量子阱内空穴浓度，进而提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 发光 效率 led 外延 | ||
【主权项】：
1.一种具有高发光效率的LED外延片，沿外延层生长方向从下到上依次包括：衬底，缓冲层，u型GaN层，n型GaN层，量子阱层，p型GaN层，其特征在于：量子阱层内势阱不变，势垒高度沿外延层生长方向从下到上逐渐降低；p型GaN层包括：低掺杂浓度p型InuGa1‑uN层，高掺杂浓度的p型AlvGa1‑vN/InuGa1‑u N超晶格层,其中u＝0～0.2，v＝0.2～0.3，并且v靠近量子阱层一侧最大，沿外延层生长方向从下到上逐渐减少。
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