[发明专利]一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管有效

专利信息
申请号: 201610961615.X 申请日: 2016-11-04
公开(公告)号: CN106384746B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 李风浪;李舒歆 申请(专利权)人: 上海微舵集成电路设计有限公司
主分类号: H01L29/737 分类号: H01L29/737;H01L21/331
代理公司: 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 代理人: 邓文武
地址: 201822 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管,本发明通过锗硅本征基区、P型多晶硅非本征基区、第二绝缘介质区同时沉积,同时刻蚀的方式简化工艺过程,同时发射区与本征基区的接触面积可以通过发射区与本征基区接触的厚度调节,接触面积相对于受制于光刻版的影响时可进一步减小,三极管性能可进一步提高。
搜索关键词: 一种 三极管 制造 方法 以及
【主权项】:
1.一种锗硅三极管的的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在硅衬底材料上形成两侧有第一绝缘介质区的N型集电区、以及一侧第一绝缘介质区下的与N型集电区相连的集电极接触区;(2)在集电区以及第一绝缘介质区表面上依次沉积锗硅形成本征基区,沉积P型多晶硅形成非本征基区,沉积绝缘介质形成第二绝缘介质区;(3)依次刻蚀上述第二绝缘介质区、非本征基区以及本征基区,形成一预制通孔,所述预制通孔的投影在未形成集电极接触区的沟槽内,预制通孔靠近边缘一侧侧壁贯穿第二绝缘介质区、非本征基区以及本征基区,另一侧侧壁贯穿第二绝缘介质区以及非本征基区、不穿过或部分穿过本征基区,然后在预制通孔内壁上沉积绝缘介质形成第三绝缘介质区;(4)刻蚀对应预制通孔底部内壁的第三绝缘介质区以及本征基区,形成两侧贯穿第二绝缘介质区、非本征基区以及本征基区的通孔,并在通孔内沉积N型多晶硅,形成发射区;(5)刻蚀形成集电极接触区一侧第二绝缘介质区、非本征基区,刻蚀长度大于集电极接触区的长度,之后刻蚀与集电极接触区相对的本征基区;(6)分别由集电极接触区、非本征基区以及发射区引出集电极、基极以及发射极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微舵集成电路设计有限公司,未经上海微舵集成电路设计有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610961615.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top