[发明专利]一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管有效
申请号: | 201610961615.X | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN106384746B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 李风浪;李舒歆 | 申请(专利权)人: | 上海微舵集成电路设计有限公司 |
主分类号: | H01L29/737 | 分类号: | H01L29/737;H01L21/331 |
代理公司: | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 邓文武 |
地址: | 201822 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管,本发明通过锗硅本征基区、P型多晶硅非本征基区、第二绝缘介质区同时沉积,同时刻蚀的方式简化工艺过程,同时发射区与本征基区的接触面积可以通过发射区与本征基区接触的厚度调节,接触面积相对于受制于光刻版的影响时可进一步减小,三极管性能可进一步提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 三极管 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种锗硅三极管的的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在硅衬底材料上形成两侧有第一绝缘介质区的N型集电区、以及一侧第一绝缘介质区下的与N型集电区相连的集电极接触区;(2)在集电区以及第一绝缘介质区表面上依次沉积锗硅形成本征基区,沉积P型多晶硅形成非本征基区,沉积绝缘介质形成第二绝缘介质区;(3)依次刻蚀上述第二绝缘介质区、非本征基区以及本征基区,形成一预制通孔,所述预制通孔的投影在未形成集电极接触区的沟槽内,预制通孔靠近边缘一侧侧壁贯穿第二绝缘介质区、非本征基区以及本征基区,另一侧侧壁贯穿第二绝缘介质区以及非本征基区、不穿过或部分穿过本征基区,然后在预制通孔内壁上沉积绝缘介质形成第三绝缘介质区;(4)刻蚀对应预制通孔底部内壁的第三绝缘介质区以及本征基区,形成两侧贯穿第二绝缘介质区、非本征基区以及本征基区的通孔,并在通孔内沉积N型多晶硅,形成发射区;(5)刻蚀形成集电极接触区一侧第二绝缘介质区、非本征基区,刻蚀长度大于集电极接触区的长度,之后刻蚀与集电极接触区相对的本征基区;(6)分别由集电极接触区、非本征基区以及发射区引出集电极、基极以及发射极。
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