[发明专利]沟槽制备方法及半导体装置制备方法有效
| 申请号： | 201610959001.8 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108022831B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 易金凤;华强;周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽制备方法，包括提供半导体器件；在所述半导体器件上刻蚀形成沟槽结构；以及控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理。上述沟槽制备方法，在传统的刻蚀形成沟槽结构的步骤后还增加了激光熔融处理步骤，激光熔融处理过程结合半导体器件的旋转从而最终制备得到底角圆润且侧壁光滑的沟槽，极大的改善半导体装置的漏电问题。本发明还提供一种半导体装置制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 制备 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽制备方法，包括提供半导体器件；在所述半导体器件上刻蚀形成沟槽结构；以及控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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