[发明专利]电子输运通道为斜跃迁‑微带型的量子级联红外探测器有效

专利信息
申请号: 201610948341.0 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN106340553B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 王风娇;任飞;刘舒曼;翟慎强;刘俊岐;梁平;刘峰奇;王占国 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/09
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种电子输运通道为斜跃迁‑微带型的量子级联红外探测器,包括一衬底;一下接触层,其外延于衬底上;一功能层,其外延于下接触层上面;一上接触层,其外延于功能层上;一上接触电极,其制作在上接触层的表面;一下接触电极,其制作在下接触层的表面,位于功能层的周围。本发明具有低噪声的同时具有高的响应率。
搜索关键词: 电子 输运 通道 跃迁 微带 量子 级联 红外探测器
【主权项】:
一种电子输运通道为斜跃迁‑微带型的量子级联红外探测器,包括:一衬底;一下接触层,其外延于衬底上;一功能层,其外延于下接触层上面,该功能层由啁啾超晶格组成,通过啁啾超晶格的设计来实现一个“斜跃迁‑微带”型的电子输运通道,电子吸收红外光后,在所设计的能级间跃迁从而实现红外光探测;该功能层由啁啾超晶格组成,每个周期中包含了吸收区、微带区以及电子弛豫区,利用微带的能级展宽来增加吸收系数和抽取效率从而提高探测器的响应率;一上接触层,其外延于功能层上;一上接触电极,其制作在上接触层的表面;一下接触电极,其制作在下接触层的表面,位于功能层的周围。
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