[发明专利]鳍形半导体器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种鳍形半导体器件及其制备方法。鳍形半导体器件制备方法包括：在半导体基体上覆盖氮化物层，图案化蚀刻去除指定区域氮化物层；覆盖第一氧化物层并磨平至氮化物层露出；图案化蚀刻氮化物层、第一氧化物层及半导体基体形成第一鳍形结构和第二鳍形结构；覆盖第二氧化物层以覆盖第一鳍形结构和第二鳍形结构；对第二氧化物层执行化学机械研磨以露出氮化物层；去除氮化物层；在去除氮化物层的位置进行外延生长以形成外延结构；完全去除第一氧化物层，减薄第二氧化物层，形成不同高度第一鳍形半导体结构和第二鳍形半导体结构；在垂直于鳍形沟道上依次覆盖高介电常数材料层和栅极材料层；执行化学机械研磨至外延结构露出。

主权项

1.一种鳍形半导体器件制备方法，其特征在于包括：第一步骤：提供半导体基体，在所述半导体基体上覆盖氮化物层，图案化蚀刻去除指定区域氮化物层；第二步骤：覆盖第一氧化物层并磨平至氮化物层露出；第三步骤：图案化蚀刻所述氮化物层、第一氧化物层及半导体基体形成第一鳍形结构和第二鳍形结构；第四步骤：覆盖第二氧化物层以覆盖第一鳍形结构和第二鳍形结构；第五步骤：对第二氧化物层执行化学机械研磨以露出氮化物层；第六步骤：去除所述氮化物层；第七步骤：在去除所述氮化物层的位置进行外延生长以形成外延结构；第八步骤：部分地去除氧化物，其中完全去除第一氧化物层，而且减薄了第二氧化物层，形成不同高度第一鳍形半导体结构和第二鳍形半导体结构；第九步骤：在垂直于鳍形沟道上依次覆盖高介电常数材料层和栅极材料层；第十步骤：对高介电常数材料层执行化学机械研磨至外延结构露出。