[发明专利]鳍形半导体器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610947343.8 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN106449413B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 黄秋铭 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种鳍形半导体器件及其制备方法。鳍形半导体器件制备方法包括:在半导体基体上覆盖氮化物层,图案化蚀刻去除指定区域氮化物层;覆盖第一氧化物层并磨平至氮化物层露出;图案化蚀刻氮化物层、第一氧化物层及半导体基体形成第一鳍形结构和第二鳍形结构;覆盖第二氧化物层以覆盖第一鳍形结构和第二鳍形结构;对第二氧化物层执行化学机械研磨以露出氮化物层;去除氮化物层;在去除氮化物层的位置进行外延生长以形成外延结构;完全去除第一氧化物层,减薄第二氧化物层,形成不同高度第一鳍形半导体结构和第二鳍形半导体结构;在垂直于鳍形沟道上依次覆盖高介电常数材料层和栅极材料层;执行化学机械研磨至外延结构露出。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种鳍形半导体器件制备方法,其特征在于包括:第一步骤:提供半导体基体,在所述半导体基体上覆盖氮化物层,图案化蚀刻去除指定区域氮化物层;第二步骤:覆盖第一氧化物层并磨平至氮化物层露出;第三步骤:图案化蚀刻所述氮化物层、第一氧化物层及半导体基体形成第一鳍形结构和第二鳍形结构;第四步骤:覆盖第二氧化物层以覆盖第一鳍形结构和第二鳍形结构;第五步骤:对第二氧化物层执行化学机械研磨以露出氮化物层;第六步骤:去除所述氮化物层;第七步骤:在去除所述氮化物层的位置进行外延生长以形成外延结构;第八步骤:部分地去除氧化物,其中完全去除第一氧化物层,而且减薄了第二氧化物层,形成不同高度第一鳍形半导体结构和第二鳍形半导体结构;第九步骤:在垂直于鳍形沟道上依次覆盖高介电常数材料层和栅极材料层;第十步骤:对高介电常数材料层执行化学机械研磨至外延结构露出。
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