[发明专利]一种改善多孔硅纵向物理结构和光学特性均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种改善多孔硅纵向物理结构和光学特性均匀性的方法。该方法是在制备多孔硅过程中，一方面，逐渐升高腐蚀液的腐蚀温度，氢氟酸分子纵向腐蚀硅的能力越来越大，从而引起在纵向方向上多孔硅的多孔度随腐蚀深度增加而减少；另一方面，在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔度变大或折射率变小。在一定条件下，二者达到动态平衡，使多孔硅薄膜沿纵向方向其多孔度保持一致，增强了多孔硅薄膜内表面的纵向物理结构的均匀性，保证多孔硅薄膜纵向物理结构和光学特性的均匀性。

主权项

一种改善多孔硅纵向物理结构和光学特性均匀性的方法，其特征在于，在制备多孔硅过程中，通过逐渐均匀升高腐蚀液的腐蚀温度，实现以下目的：一方面，在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔度变大或折射率变小；另一方面，随着腐蚀液温度的逐渐增加，氢氟酸分子纵向腐蚀硅的能力越大，导致多孔硅纵向多孔度随腐蚀液温度的升高而减少，两种趋势达到动态平衡，从而导致多孔硅多孔度在纵向方向上保持一致。