[发明专利]一种薄膜电容器用多层基板有效
| 申请号： | 201610946452.8 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106384668B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 胡忠胜;华玲萍;吴良军 | 申请（专利权）人： | 广东丰明电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/002 |
| 代理公司： | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人： | 郑凤姣 |
| 地址： | 528000 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜电容器技术领域，具体涉及一种薄膜电容器用多层基板，所述多层基板为三层结构，该三层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板。本发明相比现有技术具有以下优点：使薄膜电容器能够更好的与印刷电路板相结合，简化操作过程，在相对环境中具有性能稳定的特征，利用单晶硅基板提高电极的比表面积，增加电介质与电极的接触面积，提高其薄膜电容器的电容量，其电容量为相同尺寸普通电极薄膜电容量的1.6倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电容器 电容量 单晶硅基板 多层基板 三层结构 电极 电介质 简化操作过程 印刷电路板 电极薄膜 铜铬合金 镍基板 多层 基板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电容器用多层基板，其特征在于，所述多层基板为三层结构，该三层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；其中，铜铬合金原料中质量百分数为65%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为2‑3:1；其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比不小于99.97%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.002‑0.004%，银0.006‑0.008%，钨0.0008‑0.0012%，锰0.012‑0.015%，铟0.0004‑0.0008%，钼0.004‑0.006%，锶0.0002‑0.0006%。
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