[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201610946324.3 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106373998A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;邵阳;周晓梁;张乐陶;卢慧玲 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 关畅,王春霞 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。该方法包括如下步骤在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A，然后经图形化得到栅极；采用阳极氧化的方法在栅极上生长绝缘介质层，覆盖栅极作为栅介质层；采用溶液法在栅介质层上生长金属氧化物半导体层；采用电镀法在金属氧化物半导体层上生长金属层B；在金属氧化半导体层和金属层B的中间位置分别制备沟道区和钝化区；在大气压条件下对沟道区内的金属氧化物半导体和钝化区内的金属分别进行阳极氧化处理，得到沟道层和钝化层；制作漏区和源区。本发明为非真空电化学方法，所需设备简单便宜，只需在室温和大气环境下进行，无需经过高温或长时间退火，是一种操作简单、低成本的低温工艺，适用于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：1)在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A，然后经图形化，得到栅极；2)采用阳极氧化的方法，在所述栅极上生长绝缘介质层，覆盖所述栅极，作为栅介质层；3)采用溶液法，在所述栅介质层上生长金属氧化物半导体层；4)采用电镀法，在所述金属氧化物半导体层上生长金属层B；5)在所述金属氧化半导体层和所述金属层B的中间位置分别制备沟道区和钝化区；在大气压条件下，对所述沟道区内的所述金属氧化物半导体和所述钝化区内的所述金属分别进行阳极氧化处理，得到沟道层和钝化层；6)制作漏区和源区，即得金属氧化物薄膜晶体管。
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