[发明专利]一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法有效
| 申请号： | 201610946312.0 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106435503B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 曾飞;李起;潘峰;傅肃磊;王光月 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法。本发明提供的氧化硅薄膜的沉积方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜；所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体。本发明溅射过程中无毒无污染，工艺简单，工作气体中充入一定量氨气后得到的氧化硅薄膜中还含有氢原子和氨基等基团，它使得在同样的厚度下含有这些基团的薄膜比那些不含有这些基团的薄膜具有更大的正温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 系数 氧化 薄膜 及其 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅薄膜的沉积方法，包括如下步骤：采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜；所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体；所述氨气与所述氩气的体积比为0.02～0.17：1。
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