[发明专利]半导体结构元件及用于制造半导体结构元件的方法以及用于车辆的控制装置有效
| 申请号： | 201610944851.0 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106910772B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | N·戴维斯;W·V·埃姆登 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体结构元件(10)，它具有多个沟槽及设置在这些沟槽中的一种导电材料的区段(16，20)。导电材料(16)根据沟槽型MOSFET被用作栅极电极。没有用作栅极电极的一部分印制导线被电绝缘及用作栅极串联电阻(20)。此外还提出用于制造这种半导体结构元件(10)的方法及用于车辆的控制装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 元件 用于 制造 方法 以及 车辆 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体结构元件(10)，其具有衬底(12)，该衬底具有多个与所述半导体结构元件(10)的有源区域电绝缘的沟槽(14.1，14.2，14.3)，其中，在至少一个第一沟槽(14.1)中沿该沟槽的纵轴线(L)引入导电材料的第一区段(16)，该第一区段与第一电接通部(18)这样连接，使得在施加电压到该第一电接通部(18)上的情况下该第一区段充当MOS结构的栅极电极，其中，在该第一沟槽(14.1)和/或在第二沟槽(14.2)中沿所述沟槽的纵轴线引入所述导电材料的第二区段(20)，其特征在于，所述第二区段(20)作为所述第一区段(16)的串联电阻这样地电连接，使得所述第二区段(20)的第一端部与所述第一电接通部(18)电连接并且所述第二区段(20)的第二端部与所述导电材料的所述第一区段(16)电连接。
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