[发明专利]一种用于金丝键合的电极结构在审
| 申请号： | 201610943449.0 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106409701A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 赵泽平;刘宇;张志珂;张一鸣;刘建国;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L31/0203;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于金丝键合的电极结构，包括依次叠置的地电极、介质层和共面波导电极，其特征在于，还包括带状线，所述带状线位于所述介质层垂直方向的中间，且与所述共面波导电极的位置相对应，所述金丝键合处位于共面波导电极处与带状线相对应的位置。其中，带状线的面积小于共面波导电极上表面的面积，由于地电极与共面电极之间的间距不变，寄生电容极板间的面积减小为带状线的面积，从而使共面电极与地电极之间的寄生电容减小，降低金丝键合结构中寄生电容对微波传输的影响；相比于没有带状线的电极结构来说，本发明很大程度的降低了金丝键合引入的寄生电容，提高了微波传输质量，适用于光电子器件封装中电极之间的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 金丝 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种用于金丝键合的电极结构，包括依次叠置的地电极、介质层和共面波导电极，其特征在于，所述电极结构还包括带状线，所述带状线位于所述介质层垂直方向的中间，且与所述共面波导电极的位置相对应，所述金丝键合处位于所述共面波导电极处与带状线相对应的位置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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