[发明专利]一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610942673.8 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106571395A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 史波;曾丹;何昌;颜世桃 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，在制作时利用同一光罩来同时制作元胞区和截止环的结构，相对于传统的采用不同光罩分别实现元胞区和终端耐压区结构的制作，在保证器件耐压性能的同时，可以减少工艺过程及光罩层数，从而降低生产成本。并且，在器件中采用与元胞区相类似的沟槽结构来实现终端耐压区的截止环结构，可以减少在采用光罩利用注入掺杂和扩散推结制作各截止环时，为避免各截止环相互连接时需要在各截止环之间设定较大距离的间隔，有利于在保证终端耐压区性能的同时，缩小终端耐压区所占面积，从而增加器件的有效管芯数量，进一步减低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 金属 氧化物 半导体 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极性晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在硅片衬底上同时形成元胞区的P阱结、耐压环的P环结和截止环的P环结；同时在所述元胞区的P阱结和所述截止环的P环结处形成沟槽；同时在所述元胞区和所述截止环的沟槽内形成栅极；在所述元胞区和所述截止环的栅极边缘处形成N+发射极；在所述元胞区形成连接各N+发射极和P阱结的P+接触孔；同时形成连接所述元胞区的N+发射极和P阱结的第一正面金属图形以及连接所述截止环的第二正面金属图形。
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