[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610937953.X | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978527B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构及其制造方法。在本发明提供的半导体结构的制造方法中，包括提供一衬底；在所述衬底上形成鳍式结构；形成覆盖所述鳍式结构的硅锗层；形成覆盖所述硅锗层的第一介质层；形成侧墙，所述侧墙覆盖所述衬底和第一介质层；在所述侧墙上所述鳍式结构两侧形成层间介质层；将覆盖所述第一介质层的侧墙替换为第一栅极金属层；在所述第一栅极金属层和层间介质层上形成铁电层；以及在所述铁电层上形成第二栅极金属层。由此获得的半导体结构，能够改善现有技术中短沟道的掺杂物浓度大，对半导体结构的短沟道产生短沟道损伤(SCE)的状况，并且可以降低接触电阻，从而获得更低的电源电压(Vdd)，显著提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成鳍式结构；形成覆盖所述鳍式结构的硅锗层；形成覆盖所述硅锗层的第一介质层；形成侧墙，所述侧墙覆盖所述衬底和第一介质层；在所述侧墙上所述鳍式结构两侧形成层间介质层；将覆盖所述第一介质层的侧墙替换为第一栅极金属层；在所述第一栅极金属层和层间介质层上形成铁电层；以及在所述铁电层上形成第二栅极金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
