[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610935796.9 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107978673B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 宋以斌;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多层叠层结构，每层所述叠层结构包括依次层叠的牺牲层和隔离层；在所述半导体衬底和所述多层叠层结构上依次形成第一外延衬底层、第一石墨烯层、绝缘层、第二外延衬底层、第二石墨烯层和底部电极层；图案化所述多层叠层结构，以形成开口，将所述多层叠层结构分割为相互间隔的两部分并露出所述半导体衬底；去除所述开口中露出的所述牺牲层，以在所述隔离层之间形成凹槽；沉积顶部电极材料层，以填充所述凹槽并形成顶部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多层叠层结构，每层所述叠层结构包括依次层叠的牺牲层和隔离层；在所述半导体衬底和所述多层叠层结构上依次形成第一外延衬底层、第一石墨烯层、绝缘层、第二外延衬底层、第二石墨烯层和底部电极层；图案化所述底部电极层、所述第二石墨烯层、所述第二外延衬底层、所述绝缘层、所述第一石墨烯层、所述第一外延衬底层以及所述多层叠层结构，以形成开口，将所述多层叠层结构分割为相互间隔的两部分并露出所述半导体衬底；去除所述开口中露出的所述牺牲层，以在所述隔离层之间形成凹槽；沉积顶部电极材料层，以填充所述凹槽并形成顶部电极。
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