[发明专利]多层电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201610935488.6 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107978591A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 何永;冯骏;王者伟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了多层电容及其制造方法，其中制造方法包括在有源层表面形成两个隔离凹槽和至少一个引出凹槽，其中全部引出凹槽位于两个隔离凹槽之间,对两个隔离凹槽和全部引出凹槽进行氧化物填充；在两个隔离凹槽和全部引出凹槽之外的有源层表面上形成隧穿氧化层，并在隧穿氧化层和氧化物上形成浮栅层；在每个引出凹槽中氧化物正上方的浮栅中，形成浮栅引出电极以将浮栅引出。本发明通过在有源层中形成至少一个引出凹槽，并在其中填充氧化物，然后在该氧化物的正上方形成浮栅引出电极，使浮栅引出电极和有源层之间隔有该氧化物，即使浮栅层的厚度由于研磨变薄，浮栅引出电极也不会使得浮栅层和有源层短接。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层电容的制造方法，其特征在于，包括：在有源层表面形成两个隔离凹槽和至少一个引出凹槽，其中全部所述引出凹槽位于所述两个隔离凹槽之间,对所述两个隔离凹槽和全部所述引出凹槽进行氧化物填充；在所述两个隔离凹槽和全部所述引出凹槽之外的有源层表面上形成隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层和所述氧化物上形成浮栅层；在每个所述引出凹槽中氧化物正上方的浮栅中，形成浮栅引出电极以将浮栅引出。
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