[发明专利]一种氮化硅薄膜的沉积方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅薄膜的沉积方法，本发明的方法采用等离子体增强化学气相沉积设备进行氮化硅薄膜的沉积，沉积过程中，硅片依次经过进料腔、预热腔、工艺腔、冷却腔和出料腔，进料腔、预热腔和工艺腔的温度均分别随时间而升高，记进料腔的最低温度、进料腔的最高温度、预热腔的最低温度、预热腔的最高温度、工艺腔的最低温度、工艺腔的最高温度分别为T₁、T₁’、T₂、T₂’、T₃和T₃’，且200℃≤T₁’≤250℃，T₂＝T₁’，硅片离开预热腔的温度与硅片进入工艺腔的温度相同，且硅片进入工艺腔后工艺腔升温至T₃’。本发明的方法降低了功率输出及硅片的隐裂几率，提升了氢钝化效果，得到的太阳能电池的EFF相对于现有技术中的产品提高了0.08％，Uoc和Isc上也均有提升。

主权项

1.一种氮化硅薄膜的沉积方法，其特征在于，所述方法采用等离子体增强化学气相沉积设备在硅片表面沉积氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的沉积过程中，包括所述硅片依次经过等离子体增强化学气相沉积设备的进料腔、预热腔和工艺腔的过程，控制所述进料腔和预热腔的温度均分别随时间延长而升高，记进料腔的最低温度、进料腔的最高温度、预热腔的最低温度、预热腔的最高温度、工艺腔的最低温度和工艺腔的最高温度分别为T₁、T₁’、T₂、T₂’、T₃和T₃’，其中，200℃≤T₁’≤250℃，T₂＝T₁’，硅片离开预热腔的温度与硅片进入工艺腔的温度相同，且硅片进入工艺腔后工艺腔升温至T₃’；硅片经过预热腔的时间与预热腔的升温时间相等；所述硅片经过工艺腔的时间与工艺腔的升温时间相等。