[发明专利]一种PETE器件用阴极材料在审
| 申请号： | 201610932926.3 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106564932A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张丽丽;任保国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | C01G17/00 | 分类号： | C01G17/00;H01J1/308 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PETE器件用阴极材料。本发明属于光电热电发电技术领域。一种PETE器件用阴极材料，为硅与锗形成二元固溶体化合物，半导体化合物分子式为SixGe1‑x，x＝5‑30％；化合物有元素硼(B)掺杂，掺杂比例为0.02‑0.08mol％；纳米结构生成有两种方式一种是在合金粉末中添加氮化硼(BN)或是碳60(C60)纳米颗粒，添加重量比例为0.2‑0.5wt％；另一种方式是在合金粉未中添加铝纳米颗粒作为造孔剂，添加比例为1‑5vol％，然后将烧结后的材料切成2‑5mm厚的薄片，放在80℃‑120℃的质量浓度为40％‑80％的硝酸中腐蚀。本发明能有效增加材料的散射中心，显著提高阴极材料的电子发射率，有利于阴极对太阳光的吸收，效果明显，适用范围广等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pete 器件 阴极 材料 | ||
【主权项】：
一种PETE器件用阴极材料，其特征是：PETE器件用阴极材料为硅与锗形成二元固溶体化合物，半导体化合物分子式为SixGe1‑x，x＝5‑30％；化合物有元素硼掺杂，掺杂比例为0.02‑0.08mol％；纳米结构生成有两种方式：一种是在合金粉末中添加氮化硼或是碳60纳米颗粒，添加重量比例为0.2‑0.5wt％；另一种方式是在合金粉未中添加铝纳米颗粒作为造孔剂，添加比例为1‑5vol％，然后将烧结后的材料切成2‑5mm厚的薄片，放在80℃‑120℃的质量浓度为40％‑80％的硝酸中腐蚀。
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