[发明专利]一种富硒玉米的种植方法在审
申请号: | 201610930804.0 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN106561221A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 赵美雪 | 申请(专利权)人: | 大新县科学技术情报研究所(大新县生产力促进中心) |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;C05G1/00;C05G1/06 |
代理公司: | 南宁东智知识产权代理事务所(特殊普通合伙)45117 | 代理人: | 巢雄辉;汪治兴 |
地址: | 532399 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种富硒玉米的种植方法,是由浸种→选地种植→基肥→追肥→施硒肥→除草→收割工作完成。本发明的种植方法,合理的种植密度符合玉米的生长习性,适应玉米生长特点,能够满足在整个生长过程中所需的通风透光需求,有利于行间追肥、有利于养分集中使用,能有效的增加玉米产量;同时,减少了农药使用量,绿色环保。所以其品质和产量都得到提高,且玉米颗粒饱满,籽粒均匀。同时,使用的硒原料用量少,整个生产过程成本低,但生产出来的玉米不但营养价值丰富,而且硒含量高,使普通的玉米变成一种极其特色的功能性食品。 | ||
搜索关键词: | 一种 玉米 种植 方法 | ||
【主权项】:
一种富硒玉米的种植方法,其特征是:包括如下步骤:(1)选择发芽率95‑97%以上的种子,用冷水浸泡4‑8h,捞起来后用25‑35℃温热水每天早晚冲洗一次,直至玉米种子发芽;(2)选用土质疏松、通透性好、肥力高、pH值为5.5‑6.5的土壤播种;播种行的行宽90‑120cm,每播种行中,三穴为一种植组,组距25‑35cm,每种植组中,穴距30‑50cm,单穴单株;每3‑5条播种行为一个种植单元,每种植单元内的播种行错序排列;(3)种植后施基肥,每穴基肥3‑5kg,施在植株周围30‑50cm处,翻压在土内;(4)当玉米植株生长至30‑50cm时,在距离玉米植株根部3‑5cm处施肥, 肥料的施入量为每亩50‑60kg;在定植后1个月,对玉米苗施一次农家肥;在玉米开花的时候再施一次农家肥;在结果初期还要再施肥一次,每次每亩500‑600kg;(5)在玉米穗期阶段,每7‑10天按量给玉米苗灌施一次硒溶液;在玉米灌浆期,每5‑6天喷施一次硒溶液,在玉米成熟前15天停止喷施;(6)注意除草,苗旁浅锄,行间深锄,以免伤根;(7)收割。
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