[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的底栅结构的低温多晶硅晶体管的制备方法具有较高工艺复杂性和制备成本的问题。本发明的显示基板的制备方法，所述显示基板包括衬底、衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括中心区域和位于所述中心区域两侧的掺杂区域；所述制备方法包括：通过一次构图工艺形成包括所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂区域的图形。 1

主权项

1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括衬底、衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括中心区域和位于所述中心区域两侧的掺杂区域；

所述制备方法包括：

通过一次构图工艺形成包括所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂区域的图形；

在所述通过一次构图工艺形成包括所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂区域的图形之前，还包括：形成第一半导体图案；其中，所述第二有源层的掺杂区域是通过对所述第一半导体图案进行掺杂形成的；

所述通过一次构图工艺形成包括所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂区域的图形包括：

形成第二半导体薄膜，所述第二半导体薄膜覆盖第一半导体图案；

在第二半导体薄膜上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案；所述第一光刻胶图案对应所述第一有源层所在区域，第二光刻胶图案对应所述中心区域所在位置；

对所述第二半导体薄膜进行刻蚀，形成所述第一有源层图形和第二半导体图案，并露出部分所述第一半导体图案；所述第二半导体图案与所述中心区域位置相对应；

对露出的部分所述第一半导体图案进行掺杂，形成所述掺杂区域；

去除所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂区域包含第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于所述第二掺杂区域和所述中心区域之间；所述第一光刻胶图案对应所述第一有源层所在区域，所述第二光刻胶图案还对应所述第一掺杂区域所在位置；所述第二半导体图案与所述中心区域和第一掺杂区域位置相对应；

所述对露出的部分所述第一半导体图案进行掺杂，形成所述掺杂区域为：对露出的部分所述第一半导体图案进行掺杂，形成所述第二掺杂区域；

所述去除所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案的步骤，包括：对第二光刻胶图案进行灰化处理，形成第三光刻胶图案，所述第三光刻胶图案对应所述中心区域所在位置；

对所述第一半导体图案进行第二次掺杂，形成所述第一掺杂区域；

去除所述第一光刻胶图案和所述第三光刻胶图案。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述形成第一半导体图案之后，还包括：

通过一次构图工艺形成公共电极并去除所述第二半导体图案。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体图案与所述中心区域和第一掺杂区域位置相对应，所述通过一次构图工艺形成公共电极并去除所述第二半导体图案包括：

在所述第一有源层和所述第二掺杂区域的上方沉积公共电极层材料，并对所述公共电极层材料和覆盖在所述中心区域和第一掺杂区域上的第二半导体图案进行构图工艺，以形成所述公共电极和去除所述第二半导体图案。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成公共电极并去除所述第二半导体图案包括：

在所述第一有源层的上方沉积公共电极层材料，并对所述公共电极层材料和第二半导体图案进行构图工艺，以形成所述公共电极和去除所述第二半导体图案。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述通过一次构图工艺形成公共电极并去除所述第二半导体图案之前，还包括：

在所述第一有源层之上形成第一源漏图形，在所述第二掺杂区域之上形成第二源漏图形；

在所述第一源漏图形和所述第二源漏图形上沉积第一绝缘层和树脂层；

对所述第一绝缘层和所述树脂层进行一次构图工艺，以在所述第一绝缘层和所述树脂层中与所述第一源漏图形对应的位置形成第一通孔，在所述第一绝缘层和所述树脂层中与所述第二半导体图案对应的位置形成第二通孔。

7.一种显示基板，其特征在于，采用权利要求1‑6任意一项所述的显示基板的制备方法制备获得。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，第一有源层为金属氧化物有源层，所述第二有源层为多晶硅有源层。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述掺杂区域包含第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于所述第二掺杂区域和所述中心区域之间，所述第二薄膜晶体管还包含第二源漏图形，所述第二源漏图形覆盖所述第二掺杂区域。

10.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包含第二源漏图形，所述第二源漏图形覆盖所述掺杂区域。

11.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板设置有显示区域和位于所述显示区域周围的周边区域，所述第一薄膜晶体管位于显示区域内，所述第二薄膜晶体管位于所述周边区域。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7至11任意一项所述的显示基板。