[发明专利]一种薄膜发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201610928037.X | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486575B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;李佳恩;郑锦坚;杨力勋;徐宸科;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜发光二极管芯片及其制作方法，包括：永久基材和位于其上的发光结构，所述发光结构为III‑V族材料所生长的薄膜，有相对的两个表面，其中第一表面为发光的出光面及第一电极所构成，第二表面与所述永久基材进行连接，其特征在于：所述发光结构的第二表面具有若干个V‑Pits，所述永久基材从上到下包含金属反射层、镜面层、金属键合层以及导热层，所述金属反射层填充于所述V‑Pits中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜发光二极管芯片，包括：永久基材和位于其上的发光结构，所述发光结构为III‑V族材料所生长的薄膜，有相对的两个表面，其中第一表面为发光的出光面及第一电极所构成，第二表面与所述永久基材进行连接，其特征在于：所述发光结构的第二表面具有若干个外延生长形成的V型坑，所述永久基材从上到下包含金属反射层、镜面层、金属键合层以及导热层，所述金属反射层热团聚对应填满于所述V型坑中，并延伸于所述发光结构的部分第二表面上。
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