[发明专利]一种优化晶圆环状缺陷的方法有效
| 申请号： | 201610924726.3 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106373851B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 许进;唐在峰;冯奇艳;任昱;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种优化晶圆环状缺陷的方法，包括：第一步骤：对采用射频线圈环状结构的浅沟槽刻蚀腔体进行腔体真空保养；第二步骤：在第一真空压力下，使用第一气体高功率电浆对腔体侧壁进行反复清洗，使悬浮的水汽以及侧壁上残留的刻蚀聚合物剥离腔体；第三步骤：在第二真空压力下，使用第二气体高功率电浆对腔体上极板进行反复清洗，使上极板环状沟槽内悬浮的水汽以及上极板上残留的刻蚀聚合物剥离；其中，第二真空压力大于第一真空压力。 | ||
| 搜索关键词： | 真空压力 上极板 刻蚀聚合物 反复清洗 环状缺陷 水汽 高功率 电浆 晶圆 腔体 悬浮 残留 环状沟槽 环状结构 刻蚀腔体 腔体侧壁 射频线圈 剥离腔 浅沟槽 侧壁 优化 保养 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种优化晶圆环状缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：对采用射频线圈环状结构的浅沟槽刻蚀腔体进行腔体真空保养；第二步骤：在第一真空压力下，使用第一气体高功率电浆对浅沟槽刻蚀腔体侧壁进行反复清洗，使悬浮的水汽以及侧壁上残留的刻蚀聚合物剥离腔体；第三步骤：在第二真空压力下，使用第二气体高功率电浆对浅沟槽刻蚀腔体上极板进行反复清洗，使上极板环状沟槽内悬浮的水汽以及上极板上残留的刻蚀聚合物剥离；其中，第二真空压力大于第一真空压力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610924726.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
