[发明专利]一种CIS器件及优化后段光通道工艺来降低CIS暗电流的方法有效
| 申请号： | 201610924437.3 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106409942B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张武志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种优化后段光通道工艺来降低CIS暗电流的方法。在根据本发明的优化后段光通道工艺来降低CIS暗电流的方法中，形成CIS光电二极管区域，其中后段介电SiO2层中全部去除SICN材料，并且在CIS光电二极管区域的顶部选择性保留SI3N4材料。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 后段 通道 工艺 降低 cis 电流 方法 | ||
【主权项】：
一种优化后段光通道工艺来降低CIS暗电流的方法，其特征在于包括：形成CIS 光电二极管区域，CIS 光电二极管区域的后段介电SiO2层上保留一层致密的SiN材料作为钝化层，其中后段介电SiO2层中全部去除SiCN材料，所述全部去除SiCN材料包括全部去除后段介电SiCN层，并且在CIS光电二极管区域的顶部选择性保留顶层Si3N4材料作为顶部Si3N4层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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