[发明专利]一种非补偿n-p共掺杂的ZnO薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610920842.8 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106435476B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 江凤仙;仝瑞雪;许小红;纪丽飞;周国伟 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 俞晓明 |
| 地址： | 041000 山西省临汾*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非补偿n‑p共掺杂的ZnO薄膜，以n型掺杂剂V4+和p型掺杂剂N3‑为非补偿性n‑p共掺杂剂，ZnO薄膜组成为Zn1‑xVxO/N，其中x＝0.01‑0.1。本发明还提供了该ZnO薄膜的制备方法，以ZnO和V6O13粉末混合烧结的陶瓷片为靶材，高纯N2为N掺杂源，在Al2O3基片上采用脉冲激光沉积技术生长非补偿n‑p共掺杂ZnO薄膜。该方法制备的n‑p共掺杂ZnO薄膜为原子尺度上均相、磁性和带隙可调控的ZnO薄膜。相对于单掺杂ZnO薄膜，n‑p共掺杂ZnO薄膜不但可以明显增大ZnO薄膜的磁性，还能有效调控薄膜带隙，为ZnO薄膜在未来多功能器件中的应用奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 补偿 掺杂 zno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非补偿n‑p共掺杂的ZnO薄膜，其特征在于，用于掺杂的n型掺杂剂为V4+，p型掺杂剂为N3‑，所述ZnO薄膜组成为Zn1‑xVxO/N，其中x＝0.01‑0.1。
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