[发明专利]一种中高压沟槽型MOSFET器件的制作方法及结构

摘要

本发明提供一种中高压沟槽型MOSFET器件制作方法，包括：提供有衬底和外延层的基底；在外延层上形成氧化层，利用光刻在基底上形成沟槽；在氧化层及沟槽表面形成牺牲层，去除氧化层及沟槽表面的牺牲层，在外延层及沟槽表面形成栅氧化层；在上述结构表面形成导电层，对其进行刻蚀，暴露出栅氧化层；利用光刻定义原胞区，采用离子注入在原胞区形成源极；在上述结构表面形成介质层，通过光刻在介质层上形成接触孔；通过多次离子注入在原胞区形成体区及体区的欧姆接触；在上述结构的上下表面形成导电层，通过光刻形成栅、源极引出端。通过本发明提供的制作方法及结构，解决了现有技术制作该器件时光罩次数多，体区工艺复杂且制作成本高的问题。

主权项

一种中高压沟槽型MOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：S1：提供一基底，所述基底包括一重掺杂的具有第一导电类型的衬底，及在所述衬底上外延生长一轻掺杂的具有第一导电类型的外延层；S2：在所述外延层上形成一氧化层，并利用光刻工艺在所述基底上形成沟槽；S3：在所述氧化层及沟槽表面形成一牺牲层，再通过刻蚀去除所述氧化层及沟槽表面的牺牲层，并在所述外延层及沟槽表面形成一栅氧化层；S4：在所述栅氧化层上形成第一导电层，并对所述第一导电层进行刻蚀，直至暴露出所述栅氧化层的上表面；S5：采用光刻工艺定义出原胞区，并采用离子注入工艺在所述原胞区形成浓掺杂的源极；S6：在S5所述结构上表面形成一介质层，并通过光刻工艺在所述介质层上形成接触孔，再通过多次离子注入工艺在所述原胞区形成具有第二导电类型的体区及体区的欧姆接触；S7：在S6所述结构的上下表面均形成第二导电层，并通过光刻工艺形成栅极引出端和源极引出端。