[发明专利]基于石墨烯氧化物的真空传感器及其制备方法与应用有效
申请号: | 201610915277.6 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN107976277B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 李立强;徐泽洋;吴昆杰;张素娜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G01L21/00 | 分类号: | G01L21/00;C01B32/184 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明公开了一种基于石墨烯氧化物的真空传感器及其制备方法与应用。所述的真空传感器用于对真空腔体中的真空度进行检测,其包括:还原氧化石墨烯薄膜;以及,设置在所述还原氧化石墨烯薄膜上的若干电极,且各电极彼此间隔设置。所述制备方法包括:提供氧化石墨烯薄膜;在所述氧化石墨烯薄膜上设置彼此间隔的若干电极;以及,将所述氧化石墨烯薄膜还原为还原度较低的还原氧化石墨烯薄膜,从而制得所述真空传感器。本发明提供的基于石墨烯氧化物的真空传感器具有结构简单,高灵敏度,微型化等特点,能探试范围为10 |
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搜索关键词: | 基于 石墨 氧化物 真空 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种基于石墨烯氧化物的真空传感器,用于对真空腔体中的真空度进行检测,其特征在于,所述真空传感器包括:还原氧化石墨烯薄膜,以及,设置在所述还原氧化石墨烯薄膜上的两个以上电极,且该两个以上电极彼此间隔设置。
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