[发明专利]一种沉积透明导电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610915198.5 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106435502B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杜忠明;刘向鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沉积透明导电薄膜的方法，把直流偏压器和射频电源或者中频电源并联连接到磁控溅射系统靶头上，利用直流偏压器调节溅射透明导电薄膜的靶材偏压，步骤如下：第一步，把衬底置于室温下不加热，或者把衬底加热，使衬底温度稳定在室温到700℃之间；第二步，向磁控溅射腔室通入氩气或者氩气和氧气的混合气体；第三步，打开射频电源或者中频电源；第四步，打开直流偏压器，使靶材偏压为‐10到‐300V，并开始溅射长膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 透明 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沉积透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的沉积方法把直流偏压器和射频或者中频电源并联到磁控溅射装置的靶头上，利用直流偏压器调节溅射透明导电薄膜的靶材偏压，步骤如下：第一步，把衬底置于室温下，或者加热衬底，使衬底温度稳定在室温到700℃之间；第二步，向磁控溅射腔室通入氩气或者氩气和氧气混合气体；第三步，打开射频电源或者中频电源进行预溅射；第四步，溅射结束前同时打开直流偏压器，使靶材偏压为‑10到‑300V，并开始溅射长膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610915198.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双闭环磁控溅射阴极
- 下一篇：一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法
- 同类专利
- 专利分类
