[发明专利]一种镍掺杂纳米氧化锡（Ni‑dopednano‑SnO2）粉体的制备方法

摘要

本发明为一种镍掺杂纳米氧化锡(Ni‑doped SnO2)粉体的制备方法，特别是涉及一种应用于纳米电接触领域的镍掺杂纳米氧化锡(Ni‑doped SnO2)粉体的制备方法。基于目前AgSnO2电接触材料在服役过程中容易出现两相分离、相偏析，弱化其最初良好的导电导热特性进而导致电寿命试验失效，这主要是由于SnO2与Ag润湿性差，二者结合力不高所致。因此，采用引入第三组元改善银基体和氧化锡增强相之间的结合状态，同时通过掺杂第二元素Ni将有助于改善SnO2的电导特性。故本发明采用水热法通过调控溶液pH值、Ni掺杂量、水热反应温度等工艺参数，所获Ni‑doped nano‑SnO2纳米粉体的尺寸在2000nm范围，粉体分散性较好，制备出相纯度高、形貌可控的Ni‑doped nano‑SnO2纳米粉体，并将其应用于银基电接触材料领域。

主权项

一种镍掺杂纳米氧化锡粉体的制备方法，其特征在于所述的制备方法包括如下步骤：(1)前驱体溶液的配制：将物质的量比1～5：10的原料SnCl4·5H2O与Ni(NO3)2·6H2O添加至水中溶解完全后配置成原料的总物质的量浓度为0.2～0.6mol/L的透明的前驱体溶液；(2)镍掺杂纳米氧化锡粉体的制备：将氢氧化钠溶液以滴加方式导入置于磁力搅拌的前驱体溶液中，直至调节混合溶液的pH值至8～10并形成透明溶液后，继续磁力搅拌1～3h，将搅拌得到的混合溶液于150～200℃温度下进行水热反应后得到白色沉淀，反复洗涤白色沉淀物去除多余离子，烘干获得镍掺杂纳米氧化锡粉体。