[发明专利]一种p型CuNSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610914013.9 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711199B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;于根源 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L29/786;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;王煦丽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种p型CuNSnO非晶氧化物半导体薄膜，其中N元素为非III族元素，具有较低标准电势，与O有高的结合能，形成的氧化物为高阻氧化物，且其禁带宽度大于3eV，为Si、Ge、Hf、Zr、Mg、Mn、Fe、Nb、V、Sr、Ba、Rh、Co、Ca中任一种；且Cu为+1价，为材料的基体元素，与O结合形成材料的p型导电特性；N与O结合，在基体中作为空穴浓度的控制元素；Sn为+2价，与O结合也提供p型导电，且具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。本发明还公开了制备p型CuSrSnO非晶氧化物半导体薄膜的方法，利用CuSrSnO陶瓷片为靶材，采用射频磁控溅射方。制得的，p型CuSrSnO非晶薄膜的空穴浓度达到10 |
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| 搜索关键词： | 一种 cunsno 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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