[发明专利]经封装半导体装置在审
申请号: | 201610905039.7 | 申请日: | 2016-10-18 |
公开(公告)号: | CN107546192A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 林俊成;郑礼辉;蔡柏豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/528;H01L23/538;H01L25/07 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种经封装半导体装置包括第一封装结构、至少一外侧导电凸块、第二封装结构、密封材料以及电磁干扰(EMI)屏蔽层。第一封装结构具有第一切割边。外侧导电凸块配置于第一封装结构上且具有第二切割边。第二封装结构接附于第一封装结构上。密封材料配置于第一封装结构上,围绕第二封装结构且覆盖外侧导电凸块。密封材料具有第三切割边。电磁干扰屏蔽层接触第一切割边、第二切割边与第三切割边。电磁干扰屏蔽层电性连接于外侧导电凸块。 | ||
搜索关键词: | 封装 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种经封装半导体装置,包括:第一封装结构,其具有第一切割边;至少一外侧导电凸块,配置于所述第一封装结构上且具有第二切割边;第二封装结构,接附于所述第一封装结构上;密封材料,配置于所述第一封装结构上,围绕所述第二封装结构,且覆盖所述外侧导电凸块,其中所述密封材料具有第三切割边;以及电磁干扰屏蔽层,配置于所述第一切割边、所述第二切割边与所述第三切割边上,且电性连接所述外侧导电凸块。
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