[发明专利]一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池

摘要

本发明公开了一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池，其特征在于：稀土掺杂TiO2可有效调控其能级结构。n‑型半导体材料是杂化太阳电池体异质结的核心部分，它不仅是p‑型半导体材料的支撑或吸附载体，而且也是电子的传输载体。TiO2纳米晶作为n‑型半导体，具有高介电常数、长激发态寿命、高能态密度、低电子‑空穴复合率等诸多优点，使其成为理想的电子受体材料。目前所使用的p‑型有机聚合物半导体材料与n‑型半导体TiO2之间存在能级匹配不佳的问题，导致p‑型有机材料中的光生子注入n‑型半导体CB的效率降低，因而掺杂TiO2具有广泛的运用价值，适用于商业化生产。

主权项

一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池，从下至上依次包括：ITO导电玻璃、P型掺杂量子点层、N型掺杂量子点层、电子―空穴传输层，减反射涂层、对电极 ；其特征在于：在P型掺杂量子点层与 N 型掺杂量子点层之间均形成 PN 结。