[发明专利]用于超高选择性的氮化物蚀刻的系统和方法

摘要

本发明涉及用于超高选择性的氮化物蚀刻的系统和方法。一种用于选择性蚀刻衬底上的氮化硅层的方法包括将衬底布置在衬底处理室的衬底支撑件上。衬底处理室包括上室区、布置在上室区的外部的感应线圈、包括衬底支撑件的下室区和气体分配装置。气体分配装置包括与上室区和下室区流体连通的多个孔。该方法包括供应蚀刻气体混合物到上室区并且通过供给电力到感应线圈以在上室区中引燃感应耦合等离子体。该蚀刻气体混合物蚀刻氮化硅、促进二氧化硅钝化以及促进多晶硅钝化。该方法包括选择性蚀刻衬底上的氮化硅层并在预定时间段后熄灭感应耦合等离子体。

主权项

一种用于选择性蚀刻衬底上的氮化硅层的方法，其包括：将衬底布置在衬底处理室的衬底支撑件上，其中所述衬底处理室包括上室区、布置在所述上室区的外部的感应线圈、包括所述衬底支撑件的下室区和布置在所述上室区和所述下室区之间的气体分配装置，以及其中所述气体分配装置包括与所述上室区和所述下室区流体连通的多个孔；供应蚀刻气体混合物到所述上室区；通过供给电力到所述感应线圈以在所述上室区中引燃感应耦合等离子体，其中所述蚀刻气体混合物蚀刻氮化硅、促进二氧化硅钝化以及促进多晶硅钝化；选择性蚀刻所述衬底上的所述氮化硅层；并且在预定时间段后熄灭所述感应耦合等离子体。