[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置，用以避免在制作薄膜晶体管时源漏极被氧化的现象，从而提高薄膜晶体管的性能。所述薄膜晶体管的制作方法，该方法包括：采用一次构图工艺在衬底基板上形成有源层的图形，以及位于所述有源层上方且图形与所述有源层的图形相同的源漏金属层；在所述源漏金属层上方形成第一绝缘层；采用一次构图工艺对所述源漏金属层和第一绝缘层进行构图，使得与沟道区域所对应的有源层露出，形成源漏极的图形。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：采用一次构图工艺在衬底基板上形成有源层的图形，以及位于所述有源层上方且图形与所述有源层的图形相同的源漏金属层；在所述源漏金属层上方形成第一绝缘层；采用一次构图工艺对所述源漏金属层和第一绝缘层进行构图，使得与沟道区域所对应的有源层露出，形成源漏极的图形；其中，采用一次构图工艺对所述源漏金属层和第一绝缘层进行构图，使得与沟道区域所对应的有源层露出，形成源漏极的图形，包括：在所述第一绝缘层上方形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全去除区域与所述沟道区域相对应；通过一次刻蚀工艺，刻蚀光刻胶完全去除区域所对应的第一绝缘层和源漏极金属层，使得与沟道区域所对应的有源层露出，形成源漏极的图形；或者，在所述第一绝缘层上方形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域与用于形成源漏极图形的区域相对应；通过一次刻蚀工艺，刻蚀光刻胶完全去除区域所对应的第一绝缘层和源漏极金属层，使得与沟道区域所对应的有源层露出，形成源漏极的图形；其中，所述形成源漏极的图形之后，还包括：剥离所述光刻胶完全保留区域所对应的光刻胶；对与沟道区域所对应的有源层进行等离子体处理；在所述第一绝缘层的上方形成第二绝缘层的图形。