[发明专利]半导体晶圆的抛光方法在审
| 申请号： | 201610899466.9 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107953225A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 赵厚莹 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B9/06;B24B37/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶圆的抛光方法，依次包括如下步骤S1同时对半导体晶圆的正反两面进行初步抛光；S2在所述半导体晶圆的正反两面上分别形成环形氧化层，所述环形氧化层覆盖所述半导体晶圆正反两面靠近边缘的外圆周区域；S3对所述半导体晶圆的边缘进行镜面抛光，同时去除所述环形氧化层；S4对所述半导体晶圆的正面或正反两面进行镜面抛光。本发明可避免半导体晶圆表面靠近边缘的区域在边缘抛光步骤中的过度抛光，并且在半导体晶圆边缘抛光之后，环形氧化层会被完全去除，不会对后续的抛光步骤造成影响，方法简单、经济实用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的抛光方法，其特征在于，依次包括如下步骤：S1同时对半导体晶圆的正反两面进行初步抛光；S2在所述半导体晶圆的正反两面上分别形成环形氧化层，所述环形氧化层覆盖所述半导体晶圆正反两面靠近边缘的外圆周区域；S3对所述半导体晶圆的边缘进行镜面抛光，同时去除所述环形氧化层；S4对所述半导体晶圆的正面或正反两面进行镜面抛光。
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