[发明专利]离子注入方法及离子注入装置

摘要

本发明提供一种用于提高离子注入处理的注入精度的技术。还提供一种使离子束沿x方向往复扫描，并使晶片沿y方向往复运动而对晶片进行离子注入的离子注入方法。该方法具备如下步骤：对以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的第1晶片照射离子束，并测量射束照射后的第1晶片的电阻；对以满足规定的轴沟道效应条件的方式配置的第2晶片照射离子束，并测量射束照射后的第2晶片的电阻；及使用第1晶片及第2晶片的电阻测量结果，调整离子束的x方向及y方向的注入角度分布。

主权项

一种离子注入方法，其使离子束沿x方向往复扫描，并使晶片沿y方向往复运动而对晶片进行离子注入，所述离子注入方法的特征在于，具备如下步骤：对以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的第1晶片照射所述离子束，并测量射束照射后的所述第1晶片的电阻；对以满足规定的轴沟道效应条件的方式配置的第2晶片照射所述离子束，并测量射束照射后的所述第2晶片的电阻；及使用所述第1晶片及所述第2晶片的电阻测量结果，调整所述离子束的相对于所述晶片的所述x方向及所述y方向的注入角度分布。