[发明专利]LTPS阵列基板的制造方法及阵列基板

摘要

本发明提供一种LTPS阵列基板，所述阵列基板包括基板，叠设与所述基板表面的栅极，覆盖所述栅极及所述基板的绝缘层，叠设于所述绝缘层上的源漏极，所述源漏极之间形成沟槽，及覆盖所述沟槽及部分所述源漏极的离子掺杂层。本发明的LTPS阵列基板的制造方法通过在基板上沉积形成金属层后再通过一次光罩及两次蚀刻即形成所述阵列基板的栅极；并通过一次光罩、多次蚀刻及两次离子掺杂过程得到包含掺有N离子的多晶硅层及掺有P离子的多晶硅层的离子掺杂层。与传统LTPS阵列基板的制造方法相比，减少了制作工艺，节省了制作成本，且得到了结构简单且性能优良的LTPS阵列基板。

主权项

一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括：在基板上依次形成栅极材料层及第一光阻材料层；提供一光掩膜，其包括遮光区、位于所述遮光区两侧的半透光区及位于所述两个半透光区外侧的透光区；通过光刻工艺图案化所述第一光阻材料层形成第一光阻层，所述遮光区对应的位置为第一光阻区域，所述半透光区对应的位置为第二光阻区域，所述第二光阻区域厚度小于所述第一光阻区域；根据所述第一光阻层的图案图案化所述栅极材料层形成栅极并去除所述第一光阻层，其中，栅极包括第一区域及位于所述第一区域两侧的第二区域，所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度；在所述栅极及所述基板上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成源漏极，所述源漏极之间形成沟槽；在所述源漏极上形成掺有P离子的多晶硅层，图案化所述多晶硅层并对所述多晶硅层部分区域进行N离子掺杂得到离子掺杂层。