[发明专利]一种薄膜晶体管结构的制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管结构的制作方法，其包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极，可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积，增大像素开口率。

主权项

一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个栅极；所述形成第一薄膜晶体管的过程具体为：在基板上依次形成缓冲层以及第一有机半导体层；对所述第一有机半导体层进行刻蚀工艺，以形成所述第一薄膜晶体管的导电沟道；在所述第一有机半导体层上形成第一绝缘层；对所述第一绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第一通孔以及第二通孔；在所述第一绝缘层上形成第一金属层；对所述第一金属层进行刻蚀工艺，以形成所述第一薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极，其中，所述第一薄膜晶体管的源、漏极分别通过所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第一薄膜晶体管的导电沟道连接；在所述第一金属层上形成第二绝缘层；所述形成第二薄膜晶体管的过程具体为：在所述第二绝缘层上形成第二有机半导体层；对所述第二有机半导体层进行蚀刻工艺，以形成所述第二薄膜晶体管的导电沟道；在所述第二有机半导体层上形成第三绝缘层；对所述第三绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第三通孔以及第四通孔；在所述第三绝缘层上形成第二金属层；对所述第二金属层进行刻蚀工艺，以形成所述第二薄膜晶体管的源极以及漏极，其中，所述第二薄膜晶体管的源、漏极分别通过所述第三通孔以及所述第四通孔与所述第二薄膜晶体管的导电沟道连接；在所述第二金属层上形成第四绝缘层；在所述第四绝缘层上形成第一像素电极以及第二像素电极；所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第二像素电极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。