[发明专利]优化表面电场的沟槽式势垒肖特基结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610889173.2 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106449774A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 周祥瑞;冷德武;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷红梅;刘海 |
| 地址： | 225063 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种优化表面电场的沟槽式势垒肖特基结构及其制作方法，包括位于半导体基板上的元胞沟槽、有源区和终端耐压环；特征是：在所述沟槽式势垒肖特基结构的截面上，包括N型衬底、N型外延层、位于N型外延层上表面的势垒金属、正面金属和背面金属；所述元胞沟槽包括设置于N型外延层上部的沟槽，在沟槽的内壁和顶部的表面生长一层氧化层，在沟槽内腔中淀积导电多晶硅，在沟槽顶部表面的氧化层上设有多晶硅遮挡层；在所述有源区的垫垒金属下方形成一个P型注入区，该P型注入区位于N型外延层的上部。本发明能够优化表面的峰值电场，提高表面势垒金属的抗压能力，减小器件漏电，提高浪涌能力和高温可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 表面 电场 沟槽 式势垒肖特基 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种优化表面电场的沟槽式势垒肖特基结构，包括位于半导体基板上的元胞沟槽（A）、有源区（B）和终端耐压环（C），终端耐压环（C）环绕包围有源区（B）和元胞沟槽（A）；其特征是：在所述沟槽式势垒肖特基结构的截面上，包括N型衬底（1）、设置于N型衬底（1）上表面的N型外延层（2）、位于N型外延层（2）上表面的势垒金属（5）、位于势垒金属（5）上表面的正面金属（6）、以及位于N型衬底（1）背面的背面金属（7）；所述元胞沟槽（A）包括设置于N型外延层（2）上部的沟槽（11），在沟槽（11）的内壁和顶部的表面生长一层氧化层（3），在沟槽（11）内腔中淀积导电多晶硅（4），在沟槽（11）顶部表面的氧化层（3）上设有多晶硅遮挡层（9）；在所述有源区（B）的垫垒金属（5）下方形成一个P型注入区（8），该P型注入区（8）位于N型外延层（2）的上部。
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