[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：在闪存区、参考单元区以及逻辑区的衬底上形成隧穿介质层，隧穿介质层还位于闪存栅以及源极栅上；在隧穿介质层上形成字线层；在闪存区的字线层上以及参考单元区的部分字线层上形成第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除位于所述逻辑区的字线层，且还刻蚀去除参考单元区露出的字线层，参考单元区剩余的字线层用于形成参考单元栅；在形成参考单元栅之后，在逻辑区衬底上形成逻辑栅；在逻辑栅以及参考单元栅上形成第二光刻胶层；在形成所述第二光刻胶层之后，刻蚀所述闪存区的字线层，在所述闪存区衬底上形成字线。本发明改善了参考单元器件的参考单元栅形貌，从而提高了形成的半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括闪存区、参考单元区以及逻辑区的衬底，所述闪存区的衬底上形成有若干分立的闪存栅，所述闪存栅包括耦合氧化层、位于所述耦合氧化层上的浮栅、以及位于所述浮栅上的侧墙，且相邻闪存栅之间的衬底上还形成有源极栅；在所述闪存区、参考单元区以及逻辑区的衬底上形成隧穿介质层，所述隧穿介质层还位于所述闪存栅以及源极栅上；在所述隧穿介质层上形成字线层；在所述闪存区的字线层以及参考单元区的部分字线层上形成第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除位于所述逻辑区的字线层，且还刻蚀去除参考单元区露出的字线层，所述参考单元区剩余的字线层用于形成参考单元栅；去除所述第一光刻胶层；在形成所述参考单元栅之后，在所述逻辑区衬底上形成逻辑栅；在所述逻辑栅以及参考单元栅上形成第二光刻胶层；在形成所述第二光刻胶层之后，刻蚀所述闪存区的字线层，在所述闪存区衬底上形成字线；去除所述第二光刻胶层。