[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和鳍部，衬底包括相邻NMOS区和PMOS区；在PMOS区衬底内形成N阱，在NMOS区衬底内形成P阱；形成覆盖鳍部部分侧壁的保护侧壁，露出于保护侧壁的鳍部为鳍部第一区域，未露出的为鳍部第二区域；沿垂直于鳍部侧壁的方向去除部分宽度的鳍部第一区域；去除保护侧壁；在含氧氛围下形成隔离结构，且剩余鳍部第一区域在含氧氛围下被氧化；在鳍部上形成栅极结构；在PMOS区栅极结构两侧鳍部内形成第一源漏掺杂区，在NMOS区栅极结构两侧鳍部内形成第二源漏掺杂区。本发明形成隔离结构时完全氧化鳍部第一区域，使鳍部第二区域和衬底通过隔离结构进行隔离，提高了第一源漏掺杂区和P阱、第二源漏掺杂区和N阱的隔离效果。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍部，所述衬底包括相邻的NMOS区域和PMOS区域；在所述PMOS区域衬底内形成N型阱区，在所述NMOS区域衬底内形成P型阱区；形成覆盖所述鳍部部分侧壁表面的保护侧壁，其中，露出于所述保护侧壁的鳍部作为鳍部第一区域，未露出的鳍部作为鳍部第二区域；以所述保护侧壁为掩膜，沿垂直于鳍部侧壁的方向去除部分宽度的所述鳍部第一区域；去除所述保护侧壁；在含氧氛围下，在相邻所述鳍部第二区域之间的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部低于所述鳍部第二区域的顶部，且剩余所述鳍部第一区域在所述含氧氛围下被氧化；形成横跨所述鳍部且覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面的栅极结构；在所述PMOS区域栅极结构两侧的鳍部内形成第一源漏掺杂区，在所述NMOS区域栅极结构两侧的鳍部内形成第二源漏掺杂区。