[发明专利]集成型磁开关及其制造方法在审
| 申请号： | 201610884916.7 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106229406A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈雪平;闻永祥;刘琛;孙伟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/08;H01L43/12;H01L25/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成型磁开关及其制造方法，通过半导体工艺将磁电阻条制作于ASIC电路上，由此可以极大的减小所形成的集成型磁开关的体积。进一步的，采用剥离工艺形成第一金属层，从而有效地避开了连接孔刻蚀、连接金属淀积前的溅射刻蚀时对磁电阻条的损伤，即提高了所形成的集成型磁开关的质量与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 开关 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成型磁开关，其特征在于，所述集成型磁开关包括：ASIC电路；形成于所述ASIC电路上的第一介质层；形成于所述第一介质层上的多个磁电阻条；形成于所述第一介质层上的第一金属层，所述第一金属层包括第一金属互连线和电极部，所述第一金属互连线连接所述多个磁电阻条以组成惠斯通电桥结构，所述电极部形成所述惠斯通电桥结构的电极；形成于所述第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层同时露出所述部分ASIC电路，所述第二介质层还露出所述电极；及形成于所述第二介质层上的第二金属层，所述第二金属层包括第二金属互连线，所述第二金属互连线连接所述部分ASIC电路及所述电极。
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