[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610884463.8 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107919326B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管及其形成方法，方法包括：提供具有多个分立鳍部的衬底，衬底包括NMOS区域；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面的栅极结构；刻蚀NMOS区域栅极结构两侧部分厚度鳍部，在NMOS区域鳍部内形成NMOS区域凹槽，沿垂直于鳍部延伸方向上，NMOS区域凹槽的剖面形状为U形；在NMOS区域凹槽中形成具有N型掺杂离子的原位掺杂外延层。本发明在NMOS区域栅极结构两侧鳍部内形成NMOS区域凹槽，沿垂直于鳍部延伸方向上NMOS区域凹槽的剖面形状为U形，U形NMOS区域凹槽露出的鳍部表面为100晶向；原位掺杂外延层沿100晶向生长，因此原位掺杂外延层的位错较少。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述衬底包括NMOS区域；形成横跨所述鳍部的栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面；刻蚀所述NMOS区域栅极结构两侧部分厚度的鳍部，在所述NMOS区域鳍部内形成NMOS区域凹槽，且沿垂直于鳍部的延伸方向上，所述NMOS区域凹槽的剖面形状为U形；在所述NMOS区域凹槽中形成原位掺杂外延层，所述原位掺杂外延层中具有N型掺杂离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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