[发明专利]双载子结晶体管在审
| 申请号： | 201610883072.4 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107346784A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林正基;简郁芩 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双载子结晶体管，包括基底、第一阱区、第二阱区、射极、集极、基极、第一硬掩膜层与第二硬掩膜层。第一阱区设置于基底中。第二阱区设置第一阱区中。射极设置于第二阱区中。集极设置于第一阱区中。基极设置于第二阱区中，且位于射极与集极之间。第一硬掩膜层设置于射极与基极之间的基底上。第二硬掩膜层设置于基极与集极之间的基底上。第一阱区、射极与集极为第一导电型，且第二阱区与基极为第二导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 双载子 结晶体 | ||
【主权项】：
一种双载子结晶体管，包括：一基底；一第一阱区，设置于该基底中；一第二阱区，设置该第一阱区中；一射极，设置于该第二阱区中；一集极，设置于该第一阱区中；一基极，设置于该第二阱区中，且位于该射极与该集极之间；一第一硬掩膜层，设置于该射极与该基极之间的该基底上；以及一第二硬掩膜层，设置于该基极与该集极之间的该基底上，其中该第一阱区、该射极与该集极为一第一导电型，且该第二阱区与该基极为一第二导电型。
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