[发明专利]一种TiO2/碳纳米管/Ni光电活性复合电极的制备方法有效
| 申请号: | 201610882182.9 | 申请日: | 2016-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN106567102B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
| 发明(设计)人: | 林启志;胡旺光;李秀春;宋晓丽;姬婷婷;陈爱平 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学;上海杉盛空气净化技术有限公司;上海儒野环境科技有限公司;上海镜德环保科技有限公司 |
| 主分类号: | C25B1/04 | 分类号: | C25B1/04;C25B11/06;C02F1/30;B01D53/86;C23C16/26;C23C16/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种TiO2/碳纳米管/Ni光电活性复合电极的制备方法,采用喷雾热解化学气相沉积法,在Ni电极和TiO2表面同步生长碳纳米管(CNTs),使得碳纳米管更均匀地分布在镍电极的复合活性层中,同时CNTs能将TiO2和Ni电极基板有机地连接起来,在镍电极基板与复合光电活性膜层间形成畅通的电子传输通道,提高电极的光电催化效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 tio2 纳米 ni 光电 活性 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种二氧化钛/碳纳米管/Ni光电活性复合电极的制备方法,其特征在于,其具体步骤为:NiO‑TiO2前驱体的喷雾热解及其在经过预处理的镍基片上沉积、碳纳米管在镍基片上化学气相沉积CVD以及碳纳米管在TiO2上的生长同步进行,得到TiO2/碳纳米管/Ni光电活性复合阳极;所述的镍基片的预处理方法的具体步骤为:先将镍片用砂纸打磨光亮,去除表面的氧化物,再分别于NaOH‑水和丙酮‑乙醇溶液中超声清洗0.1~1h,烘干,最后在其表面浸涂一层硝酸铁或者氯化铁的乙醇溶液,烘干得到预处理后的镍基片;碳纳米管同时在纳米TiO2颗粒或其膜中以及镍片上生长,具体步骤为:经过预处理的镍片置于喷雾热解化学气相沉积CVD反应器中的热台上,同时向CVD反应器中雾化喷入NiO‑TiO2前驱体和用惰性气体稀释的生长碳纳米管的碳源气;前驱体热分解成NiO‑TiO2,NiO中的Ni2+还原成Ni单质,成为TiO2颗粒和沉积在镍片上的TiO2膜上碳纳米管生长的催化活性中心;同时,经过预处理的镍片电极基板表面上的铁离子被还原成单质铁,成为镍片上直接生长碳纳米管的催化活性中心,两种催化活性中心同时催化碳源气分解生成碳纳米管,从而一步法在镍片上CVD原位同时修饰TiO2/CNTs复合活性膜;所述的NiO‑TiO2前驱体的制备方法,其具体步骤为:将0.5~5mol柠檬酸、5~25ml HNO3、0.1~0.5mol钛酸四丁酯溶解于100~500ml无水乙醇中,搅拌0.5~5h,充分搅拌后得到混合溶液A;配制浓度为1~10%的Ni(NO3)2溶液记为溶液B,在剧烈搅拌下,将溶液B滴加到混合溶液A中;持续搅拌0.5~8h,使柠檬酸与钛和镍充分络合,得到NiO‑TiO2前驱体。
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