[发明专利]一种用于高温薄膜沉积的加热装置

摘要

本发明属于薄膜制备技术领域，具体为一种用于高温薄膜沉积的加热装置。本发明的加热装置包括两个电极组；电流I通过电极从金属衬底基带的两个边缘导入到金属衬底基带上，并在其上流动；金属衬底基带(具有较高电阻率的哈氏合金等)在自身电阻的作用下发热达到YBCO生长所需的温度，而沉积区处于两个电极组之间。本发明装置原理、结构简单；加热迅速，能效高；可用于带状的金属衬底或其上制备有(导电或绝缘的)缓冲层的带状金属衬底的加热；通过消除电极与基带间因接触不良导致的放电，该加热方式可以实现单面或双面YBCO长带材的连续卷绕制备。

主权项

一种用于高温薄膜沉积的加热装置，包括第一电极组和第二电极组，其特征在于：第一电极组和第二电极组相同，且并列设置于薄膜生长区两侧；两个电极组位于两个衬底卷绕盘转轴之间；所述电极组由陶瓷板、导电金属片、银钨Ag‑W棒、弹性支撑装置和电阻金属片组成；陶瓷板有两片，用于安装导电金属片，并可在支架上自由滑动；导电金属片有12‑40个，等间距且成对地固定于两片陶瓷板的内表面，其上端焊有Ag‑W棒，相对的两根Ag‑W棒间为金属衬底基带的通道，各成对的Ag‑W棒相互电连接，并且与电源接口形成电连接；每对电阻金属片构成一个电极单元，各电极单元通过电流分配电路形成电连接；电流分配电路为串联的电阻，各个电极单元分别连接于对应相邻电阻间的连接点；两片陶瓷板通过弹性支撑装置使得金属衬底基带被夹持于各个电极单元的Ag‑W棒之间；所述通道是指工作状态下金属衬底基带的位置即静止时或金属衬底基带在卷绕盘之间的运动途径；通道位于成对导电金属片之间，其两侧边缘与Ag‑W棒相接触；所述电源接口是指与外部电源连接的电路接口。